RTL020P02FRATR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTL020P02FRATR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RTL020P02FRATR за ціною від 12.46 грн до 50.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RTL020P02FRATR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 2374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RTL020P02FRATR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 2762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RTL020P02FRATR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RTL020P02FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 822+ | 17.82 грн |
| 828+ | 17.70 грн |
| 1081+ | 13.55 грн |
| 1091+ | 12.95 грн |
| RTL020P02FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 588+ | 24.95 грн |
| 610+ | 24.05 грн |
| 1000+ | 23.26 грн |
| 2500+ | 21.77 грн |
| RTL020P02FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.78 грн |
| 11+ | 30.41 грн |
| 100+ | 19.50 грн |
| 500+ | 13.88 грн |
| 1000+ | 12.46 грн |



