Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTL020P02TR
RTL020P02TR

RTL020P02TR Rohm Semiconductor

RTL020P02.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.57 грн
10+38.12 грн
100+26.19 грн
500+19.48 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTL020P02TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RTL020P02TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTL020P02TR RTL020P02TR Rohm Semiconductor RTL020P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL020P02TR RTL020P02TR ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32346-1.pdf MOSFETs P-CH 20V 2A TUMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL020P02TR RTL020P02.pdf
RTL020P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTL020P02TR rohm semiconductor_rohms32346-1.pdf
RTL020P02TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P-CH 20V 2A TUMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.