Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTM002P02T2L
RTM002P02T2L

RTM002P02T2L Rohm Semiconductor

RTM002P02.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTM002P02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RTM002P02T2L за ціною від 10.88 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTM002P02T2L RTM002P02T2L Rohm Semiconductor RTM002P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
11+27.76 грн
100+18.90 грн
500+13.94 грн
1000+10.91 грн
2000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02T2L ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms10435-1.pdf MOSFETs P-CH 20V 200MA
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02T2L ROHM RTM002P02.pdf Description: ROHM - RTM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L ROHM RTM002P02.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02 T2L ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02.pdf
RTM002P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
11+27.76 грн
100+18.90 грн
500+13.94 грн
1000+10.91 грн
2000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L rohm semiconductor_rohms10435-1.pdf
RTM002P02T2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P-CH 20V 200MA
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02.pdf
RTM002P02T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02T2L RTM002P02.pdf
Виробник: ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTM002P02 T2L
Виробник: ROHM
SOT23/SOT323
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.