Продукція > RENESAS ELECTRONICS > RTP100E005G1FL-TR
RTP100E005G1FL-TR

RTP100E005G1FL-TR Renesas Electronics

REN_RTP100E005G1FL_DST_20260922.pdf
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 100V 5mR LV GaN FET in 3x3 QFN
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.95 грн
10+166.16 грн
100+100.38 грн
500+83.65 грн
1000+80.61 грн
3000+67.98 грн
6000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTP100E005G1FL-TR Renesas Electronics

Description: RENESAS - RTP100E005G1FL-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 59 A, 0.005 ohm, 5.2 nC, FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 5.2nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: FCLGA, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.

Інші пропозиції RTP100E005G1FL-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTP100E005G1FL-TR RTP100E005G1FL-TR RENESAS Description: RENESAS - RTP100E005G1FL-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 59 A, 0.005 ohm, 5.2 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTP100E005G1FL-TR
RTP100E005G1FL-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RTP100E005G1FL-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 59 A, 0.005 ohm, 5.2 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.