Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ020N03TR
RTQ020N03TR

RTQ020N03TR Rohm Semiconductor

rtq020n03tr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
780+18.27 грн
785+18.16 грн
960+14.84 грн
1035+13.27 грн
2000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 780 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ020N03TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTQ020N03TR за ціною від 12.14 грн до 66.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
2500+23.37 грн
5000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor rtq020n03tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
2500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.39 грн
10+35.80 грн
50+26.25 грн
100+21.74 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 863 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+66.04 грн
11+29.86 грн
100+22.96 грн
500+17.55 грн
3000+12.73 грн
6000+12.29 грн
9000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR RTQ020N03TR ROHM datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR rtq020n03tr-e.pdf
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR rtq020n03tr-e.pdf
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
2500+23.37 грн
5000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR rtq020n03tr-e.pdf
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
532+26.78 грн
552+25.82 грн
1000+24.97 грн
2500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.39 грн
10+35.80 грн
50+26.25 грн
100+21.74 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 863 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.04 грн
11+29.86 грн
100+22.96 грн
500+17.55 грн
3000+12.73 грн
6000+12.29 грн
9000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.