RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1133+ | 12.58 грн |
| 1177+ | 12.10 грн |
| 1200+ | 11.86 грн |
| 2000+ | 11.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1133 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RTQ020N05HZGTR за ціною від 13.46 грн до 73.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 34.87 грн |
| 426+ | 33.48 грн |
| 500+ | 32.26 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.28 грн |
| 10+ | 38.03 грн |
| 100+ | 26.47 грн |
| 500+ | 19.40 грн |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET
MOSFETs Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.38 грн |
| 10+ | 33.30 грн |
| 100+ | 25.67 грн |
| 500+ | 19.75 грн |
| 3000+ | 15.36 грн |
| 9000+ | 13.46 грн |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)