RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1133+ | 12.49 грн |
| 1177+ | 12.02 грн |
| 1200+ | 11.79 грн |
| 2000+ | 11.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції RTQ020N05HZGTR за ціною від 19.49 грн до 46.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | ROHM Semiconductor |
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 34.64 грн |
| 426+ | 33.26 грн |
| 500+ | 32.05 грн |
| 1000+ | 29.90 грн |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.49 грн |
| 10+ | 38.21 грн |
| 100+ | 26.59 грн |
| 500+ | 19.49 грн |
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RTQ020N05HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)