Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ020N05HZGTR
RTQ020N05HZGTR

RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor

rtq020n05hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1133+10.78 грн
1177+10.37 грн
1200+10.17 грн
2000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 1133
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTQ020N05HZGTR за ціною від 12.73 грн до 71.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : ROHM rtq020n05hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.14 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.80 грн
500+19.85 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq020n05hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
409+29.88 грн
426+28.69 грн
500+27.65 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 409
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+39.24 грн
100+27.31 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
10+43.74 грн
100+28.40 грн
500+22.29 грн
1000+17.21 грн
3000+15.74 грн
9000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : ROHM rtq020n05hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.14 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.72 грн
19+43.66 грн
100+28.80 грн
500+19.85 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.