RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1133+ | 10.70 грн |
| 1177+ | 10.30 грн |
| 1200+ | 10.09 грн |
| 2000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RTQ020N05HZGTR за ціною від 14.06 грн до 67.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RTQ020N05HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTQ020N05HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTQ020N05HZGTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTQ020N05HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |