Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ025P02TR
RTQ025P02TR

RTQ025P02TR ROHM Semiconductor

rohm_semiconductor_rohms32347-1-1742635.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
10+42.22 грн
100+25.01 грн
500+20.97 грн
1000+17.88 грн
3000+15.82 грн
6000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ025P02TR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RTQ025P02TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTQ025P02-TR
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR Виробник : ROH RTQ025P02.pdf 07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR Виробник : ROHM RTQ025P02.pdf 0420+ SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02 TR Виробник : ROHM SOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR RTQ025P02TR Виробник : Rohm Semiconductor RTQ025P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TR RTQ025P02TR Виробник : Rohm Semiconductor RTQ025P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.