RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.67 грн
10+47.54 грн
50+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції RTQ025P02HZGTR за ціною від 18.06 грн до 87.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq025p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.89 грн
14+58.40 грн
50+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq025p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.89 грн
244+58.40 грн
323+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT457T
на замовлення 185 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+87.03 грн
10+54.08 грн
100+38.39 грн
500+30.06 грн
1000+26.40 грн
3000+18.14 грн
6000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR ROHM rtq025p02hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq025p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR ROHM rtq025p02hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR rtq025p02hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.89 грн
14+58.40 грн
50+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR rtq025p02hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.89 грн
244+58.40 грн
323+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT457T
на замовлення 185 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.03 грн
10+54.08 грн
100+38.39 грн
500+30.06 грн
1000+26.40 грн
3000+18.14 грн
6000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR rtq025p02hzgtr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR rtq025p02hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTR rtq025p02hzgtr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.