RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.52 грн |
| 10+ | 43.91 грн |
| 100+ | 30.37 грн |
| 500+ | 23.81 грн |
| 1000+ | 20.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.072 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RTQ025P02HZGTR за ціною від 17.36 грн до 61.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET - RTQ025P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTQ025P02HZGTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.072 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTQ025P02HZGTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.072 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RTQ025P02HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
RTQ025P02HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |