на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.28 грн |
| 10+ | 47.13 грн |
| 100+ | 38.79 грн |
| 500+ | 30.49 грн |
| 1000+ | 23.58 грн |
| 3000+ | 12.89 грн |
| 9000+ | 11.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ030P02TR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RTQ030P02TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RTQ030P02TR |
 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| RTQ030P02-TR | Виробник : ROHM |
на замовлення 24200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
RTQ030P02TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
RTQ030P02TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
товар відсутній |