RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor


rtq035p02hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+33.35 грн
457+31.00 грн
459+30.88 грн
543+25.12 грн
1000+22.00 грн
2000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RTQ035P02HZGTR за ціною від 24.59 грн до 63.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq035p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.19 грн
294+48.18 грн
500+46.44 грн
1000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+53.20 грн
100+36.85 грн
500+28.89 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR ROHM Semiconductor rtq035p02hzgtr_e-1873405.pdf MOSFETs Automotive Pch -20V -3.5A Small Signal MOSFET. RTQ035P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR rtq035p02hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
282+50.19 грн
294+48.18 грн
500+46.44 грн
1000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+53.20 грн
100+36.85 грн
500+28.89 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR rtq035p02hzgtr_e-1873405.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Pch -20V -3.5A Small Signal MOSFET. RTQ035P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.