Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ035P02HZGTR
RTQ035P02HZGTR

RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor

rtq035p02hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+28.98 грн
457+26.94 грн
459+26.83 грн
543+21.83 грн
1000+19.11 грн
2000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTQ035P02HZGTR за ціною від 21.38 грн до 73.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.49 грн
500+27.80 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq035p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
282+43.61 грн
294+41.87 грн
500+40.35 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.26 грн
10+56.31 грн
100+39.00 грн
500+30.58 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rtq035p02hzgtr_e-1873405.pdf MOSFETs Automotive Pch -20V -3.5A Small Signal MOSFET. RTQ035P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.56 грн
10+55.02 грн
100+36.55 грн
500+31.16 грн
1000+26.54 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.75 грн
16+54.10 грн
100+40.49 грн
500+27.80 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.