Продукція > ROHM > RTQ045N03HZGTR
RTQ045N03HZGTR

RTQ045N03HZGTR ROHM

rtq045n03hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.02 грн
500+23.52 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ045N03HZGTR ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTQ045N03HZGTR за ціною від 16.86 грн до 67.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
366+33.40 грн
374+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.07 грн
10+44.85 грн
100+31.55 грн
500+24.29 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM rtq045n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.74 грн
19+45.18 грн
100+33.02 грн
500+23.52 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.19 грн
10+43.46 грн
100+27.70 грн
500+23.19 грн
1000+21.08 грн
3000+18.44 грн
6000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+67.92 грн
279+43.84 грн
500+32.70 грн
1000+31.37 грн
3000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.