Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ045N03HZGTR
RTQ045N03HZGTR

RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor

rtq045n03hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
438+27.99 грн
471+26.06 грн
473+25.95 грн
559+21.18 грн
1000+18.52 грн
2000+17.69 грн
3000+16.81 грн
6000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTQ045N03HZGTR за ціною від 19.65 грн до 69.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.57 грн
500+23.92 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+44.58 грн
287+42.79 грн
500+41.24 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.09 грн
10+45.60 грн
100+32.07 грн
500+24.69 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.79 грн
19+45.93 грн
100+33.57 грн
500+23.92 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.91 грн
10+45.41 грн
25+36.43 грн
100+28.85 грн
250+27.78 грн
500+24.34 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.