RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor


rtq045n03hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
366+38.72 грн
374+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RTQ045N03HZGTR за ціною від 20.93 грн до 78.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+42.68 грн
100+30.02 грн
500+23.11 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.73 грн
279+50.82 грн
500+37.90 грн
1000+36.37 грн
3000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.12 грн
10+42.68 грн
100+30.02 грн
500+23.11 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR rtq045n03hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+78.73 грн
279+50.82 грн
500+37.90 грн
1000+36.37 грн
3000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTR datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.