
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTQ045N03TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RTQ045N03TR за ціною від 17.44 грн до 63.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RTQ045N03TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RTQ045N03TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V |
на замовлення 5473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RTQ045N03TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
RTQ045N03TR | Виробник : ROHM |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
RTQ045N03TR | Виробник : ROHM | SOT163 |
на замовлення 18938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RTQ045N03TR Код товару: 210479
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|