Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RTQ045N03TR

RTQ045N03TR

Код товару: 210479
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ045N03TR

  • MOSFET, N, 30V, 4.5A
  • Transistor Type:ESD Protection Type
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:4.5A
  • On State Resistance:30mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:1.5V
  • Case Style:TSMT6
  • Termination Type:SMD
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vgs th:1.5V
  • Min Voltage Vgs th:0.5V
  • On State Resistance @ Vgs = 2.5V:42mohm
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V:30mohm
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • Pulse Current Idm:18A
  • Transistor Case Style:TSMT6

Інші пропозиції RTQ045N03TR за ціною від 16.78 грн до 77.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ045N03TR RTQ045N03TR Rohm Semiconductor description Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR RTQ045N03TR Rohm Semiconductor description Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+44.05 грн
100+30.04 грн
500+23.06 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR RTQ045N03TR ROHM Semiconductor description MOSFETs N-CH 30V 4.5A TSMT6
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.87 грн
100+27.34 грн
500+21.19 грн
1000+19.19 грн
3000+17.19 грн
9000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR ROHM description SOT163
на замовлення 18938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
RTQ045N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
RTQ045N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+44.05 грн
100+30.04 грн
500+23.06 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
RTQ045N03TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 30V 4.5A TSMT6
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.56 грн
10+47.87 грн
100+27.34 грн
500+21.19 грн
1000+19.19 грн
3000+17.19 грн
9000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
Виробник: ROHM
SOT163
на замовлення 18938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NJM2846DL3-18-TE1
Код товару: 127566
Додати до обраних Обраний товар
NJM2845_NJM2846_E.pdf
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.