RTR020N05HZGTL

RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTR020N05HZGTL за ціною від 14.13 грн до 73.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM 2864530.pdf Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.87 грн
500+23.29 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM rtr020n05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.79 грн
18+50.77 грн
100+34.66 грн
500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTR020N05HZG is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for switching application.
на замовлення 5122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.83 грн
10+44.46 грн
100+27.17 грн
500+21.58 грн
1000+19.41 грн
3000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.06 грн
10+43.99 грн
100+28.63 грн
500+20.65 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.