RTR020N05TL Rohm Semiconductor



Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR020N05TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TSMT3.

Інші пропозиції RTR020N05TL за ціною від 20.23 грн до 96.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTR020N05TL RTR020N05TL ROHM Semiconductor rtr020n05-e-1139223.pdf MOSFETs SINGLE N-CHAN 45V 2A
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+58.51 грн
100+34.03 грн
500+27.20 грн
1000+24.71 грн
3000+21.26 грн
6000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TL RTR020N05TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.33 грн
100+38.55 грн
500+28.19 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TL rtr020n05-e-1139223.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SINGLE N-CHAN 45V 2A
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.43 грн
10+58.51 грн
100+34.03 грн
500+27.20 грн
1000+24.71 грн
3000+21.26 грн
6000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.30 грн
10+58.33 грн
100+38.55 грн
500+28.19 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.