RTR025N05HZGTL

RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.10 грн
6000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTR025N05HZGTL за ціною від 13.65 грн до 59.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.05 грн
500+21.79 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+39.52 грн
100+25.86 грн
500+18.66 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+42.96 грн
100+26.86 грн
500+20.62 грн
1000+17.83 грн
3000+14.09 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.03 грн
17+49.07 грн
100+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.