Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTR025P02HZGTL
RTR025P02HZGTL

RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTR025P02HZGTL за ціною від 20.62 грн до 79.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.53 грн
100+31.22 грн
500+22.73 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL ROHM datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL ROHM datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025P02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+47.53 грн
100+31.22 грн
500+22.73 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025P02HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025P02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTL datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025P02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.