Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTR030P02TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RTR030P02TL за ціною від 17.12 грн до 48.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RTR030P02TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 |
на замовлення 5150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RTR030P02TL | ROHM Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RTR030P02TL | ROHM |
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RTR030P02TL | ROHM |
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RTR030P02-TL |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RTR030P02TL | ROHM |
10+ SOT-23 |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RTR030P02TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.82 грн |
| 10+ | 40.22 грн |
| 100+ | 30.05 грн |
| 500+ | 22.16 грн |
| 1000+ | 17.12 грн |
| RTR030P02TL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RTR030P02TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RTR030P02TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTR030P02TL - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RTR030P02TL |
![]() |
Виробник: ROHM
10+ SOT-23
10+ SOT-23
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




