RTR030P02HZGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.25 грн |
| 500+ | 27.67 грн |
| 1000+ | 23.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTR030P02HZGTL ROHM
Description: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RTR030P02HZGTL за ціною від 20.22 грн до 66.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RTR030P02HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTR030P02HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOT346 P CHAN 20V |
на замовлення 5042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTR030P02HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTR030P02HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |