Продукція > ROHM > RTR030P02HZGTL
RTR030P02HZGTL

RTR030P02HZGTL ROHM


datasheet?p=RTR030P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.31 грн
500+26.98 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR030P02HZGTL ROHM

Description: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RTR030P02HZGTL за ціною від 20.82 грн до 64.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RTR030P02HZGTL RTR030P02HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR030P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR030P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.73 грн
21+40.52 грн
100+36.31 грн
500+26.98 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030P02HZGTL RTR030P02HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR030P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT346 P CHAN 20V
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.29 грн
100+38.49 грн
500+26.26 грн
1000+24.13 грн
3000+21.26 грн
6000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030P02HZGTL RTR030P02HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR030P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+53.72 грн
100+37.19 грн
500+29.16 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030P02HZGTL RTR030P02HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR030P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.