Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RU1C001UNTCL
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor

ru1c001untcl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.45 грн
6250+2.26 грн
6466+2.19 грн
6727+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RU1C001UNTCL за ціною від 2.85 грн до 20.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
6000+3.78 грн
9000+3.56 грн
15000+3.11 грн
21000+2.98 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor ru1c001untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+5.23 грн
2783+5.08 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 2703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 31248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.31 грн
100+7.72 грн
500+5.34 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL ROHM Semiconductor datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL ROHM datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL ROHM datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor ru1c001untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.36 грн
6000+3.78 грн
9000+3.56 грн
15000+3.11 грн
21000+2.98 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL ru1c001untcl-e.pdf
RU1C001UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2703+5.23 грн
2783+5.08 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 2703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 31248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
25+12.31 грн
100+7.72 грн
500+5.34 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001UNTCL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001UNTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL datasheet?p=RU1C001UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001UNTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCL ru1c001untcl-e.pdf
RU1C001UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.