Продукція > ROHM > RU1C001ZPTL
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL ROHM


datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.76 грн
1000+3.09 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RU1C001ZPTL ROHM

Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RU1C001ZPTL за ціною від 2.33 грн до 24.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Виробник : ROHM ru1c001zptl-e.pdf Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+14.98 грн
84+9.88 грн
186+4.45 грн
500+3.75 грн
1000+3.10 грн
5000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
31+10.17 грн
100+6.32 грн
500+4.35 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 7754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.75 грн
31+11.23 грн
100+3.89 грн
1000+3.52 грн
3000+3.23 грн
9000+2.42 грн
24000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RU1C001ZPTL SMD P channel transistors
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.45 грн
390+2.76 грн
1071+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.