RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 19140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.56 грн |
| 6000+ | 3.22 грн |
| 9000+ | 3.09 грн |
| 15000+ | 2.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RU1C002UNTCL за ціною від 2.88 грн до 29.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 7994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 21626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C002UNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RU1C002UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RU1C002UNTCL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |