RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2863+ | 4.53 грн |
| 2880+ | 4.50 грн |
| 3364+ | 3.86 грн |
| 3547+ | 3.53 грн |
| 6000+ | 3.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RU1C002UNTCL за ціною від 2.77 грн до 22.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C002UNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A |
на замовлення 7178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RU1C002UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 200mA; Idm: 0.4A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A Case: SOT323F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.15W Pulsed drain current: 0.4A |
товару немає в наявності |