Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RU1C002ZPTCL
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.18 грн
6000+2.74 грн
9000+2.58 грн
15000+2.25 грн
21000+2.14 грн
30000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RU1C002ZPTCL за ціною від 2.69 грн до 15.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor ru1c002zptcl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+4.66 грн
3555+3.98 грн
3741+3.78 грн
3760+3.63 грн
6000+3.16 грн
12000+2.85 грн
24000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor ru1c002zptcl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor ru1c002zptcl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
5000+11.55 грн
10000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 78640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
33+9.18 грн
100+5.72 грн
500+3.93 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL ROHM Semiconductor datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 200186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL ROHM datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL ROHM datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL ru1c002zptcl-e.pdf
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3037+4.66 грн
3555+3.98 грн
3741+3.78 грн
3760+3.63 грн
6000+3.16 грн
12000+2.85 грн
24000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL ru1c002zptcl-e.pdf
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL ru1c002zptcl-e.pdf
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
5000+11.55 грн
10000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 78640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.50 грн
33+9.18 грн
100+5.72 грн
500+3.93 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 200186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.