Інші пропозиції RU1J002YNTCL за ціною від 1.95 грн до 15.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RU1J002YNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V |
на замовлення 1478800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 5917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1J002YNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 88634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V |
на замовлення 1478923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RU1J002YNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |



