Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUC002N05HZGT116
RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.07 грн
6000+2.64 грн
9000+2.48 грн
15000+2.16 грн
21000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RUC002N05HZGT116 за ціною від 3.36 грн до 15.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1692+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 1692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+8.98 грн
1629+8.68 грн
2500+8.43 грн
5000+7.91 грн
10000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
34+8.95 грн
100+5.57 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 ROHM datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 ROHM datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 ruc002n05hzgt116-e.pdf
RUC002N05HZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1692+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 1692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 ruc002n05hzgt116-e.pdf
RUC002N05HZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1576+8.98 грн
1629+8.68 грн
2500+8.43 грн
5000+7.91 грн
10000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05HZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.50 грн
34+8.95 грн
100+5.57 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05HZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05HZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05HZGT116 datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05HZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.