RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.99 грн |
| 6000+ | 2.45 грн |
| 9000+ | 2.16 грн |
| 15000+ | 1.96 грн |
| 21000+ | 1.95 грн |
| 30000+ | 1.81 грн |
| 75000+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RUC002N05HZGT116 за ціною від 2.28 грн до 17.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 87428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23 |
на замовлення 87367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RUC002N05HZGT116 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |