RUC002N05T116


datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 176006
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RUC002N05T116 за ціною від 1.88 грн до 22.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
6000+3.14 грн
9000+2.96 грн
15000+2.58 грн
21000+2.47 грн
30000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.22 грн
1500+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2110+6.61 грн
2308+6.05 грн
2693+5.18 грн
2841+4.74 грн
6000+4.09 грн
12000+3.70 грн
24000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 2110
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
810+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
на замовлення 12021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.44 грн
31+10.56 грн
100+3.96 грн
500+3.69 грн
3000+1.95 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 119225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.99 грн
29+10.47 грн
100+6.52 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.39 грн
70+11.60 грн
175+4.65 грн
500+4.11 грн
1500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Виробник : Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
630+22.17 грн
654+21.37 грн
1000+20.67 грн
2500+19.34 грн
5000+17.43 грн
10000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.