Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RUC002N05T116

RUC002N05T116

datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 176006
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RUC002N05T116 за ціною від 2.40 грн до 18.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
6000+3.21 грн
9000+3.02 грн
15000+2.64 грн
21000+2.52 грн
30000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
5000+8.16 грн
10000+7.37 грн
25000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 139489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
28+10.75 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.72 грн
6000+3.21 грн
9000+3.02 грн
15000+2.64 грн
21000+2.52 грн
30000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 2078143200496743ruc002n05.pdf
RUC002N05T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
2500+8.69 грн
5000+8.16 грн
10000+7.37 грн
25000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 139489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
28+10.75 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 2078143200496743ruc002n05.pdf
RUC002N05T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.