Інші пропозиції RUC002N05T116 за ціною від 2.35 грн до 18.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RUC002N05T116 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUC002N05T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUC002N05T116 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 54299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUC002N05T116 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUC002N05T116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 562 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RUC002N05T116 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RUC002N05T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.64 грн |
| 6000+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.96 грн |
| 15000+ | 2.58 грн |
| 21000+ | 2.47 грн |
| 30000+ | 2.35 грн |
| RUC002N05T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1528+ | 9.28 грн |
| 1579+ | 8.98 грн |
| 2500+ | 8.71 грн |
| 5000+ | 8.17 грн |
| 10000+ | 7.38 грн |
| 25000+ | 6.93 грн |
| RUC002N05T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 54299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.86 грн |
| 29+ | 10.47 грн |
| 100+ | 6.52 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 3.96 грн |
| RUC002N05T116 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.69 грн |
| 29+ | 11.19 грн |
| 100+ | 6.08 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 3.93 грн |
| 3000+ | 3.18 грн |
| 6000+ | 2.90 грн |
| RUC002N05T116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




