Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUE002N02TL
RUE002N02TL

RUE002N02TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.43 грн
6000+3.16 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUE002N02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RUE002N02TL за ціною від 3.00 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUE002N02TL RUE002N02TL Rohm Semiconductor rue002n02.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 54519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2825+5.01 грн
3206+4.41 грн
3349+4.22 грн
3538+3.86 грн
12000+3.38 грн
24000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 2825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL RUE002N02TL Rohm Semiconductor rue002n02.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.54 грн
1387+10.20 грн
2500+9.90 грн
5000+9.28 грн
10000+8.39 грн
25000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL RUE002N02TL Rohm Semiconductor rue002n02.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.54 грн
1387+10.20 грн
2500+9.90 грн
5000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL RUE002N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 23161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.07 грн
500+7.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL rue002n02.pdf
RUE002N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 54519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2825+5.01 грн
3206+4.41 грн
3349+4.22 грн
3538+3.86 грн
12000+3.38 грн
24000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 2825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL rue002n02.pdf
RUE002N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1342+10.54 грн
1387+10.20 грн
2500+9.90 грн
5000+9.28 грн
10000+8.39 грн
25000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL rue002n02.pdf
RUE002N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1342+10.54 грн
1387+10.20 грн
2500+9.90 грн
5000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUE002N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 23161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.07 грн
500+7.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE002N02TL datasheet?p=RUE002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.