Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUE003N02TL
RUE003N02TL

RUE003N02TL Rohm Semiconductor

RUE003N02.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.42 грн
6000+5.77 грн
9000+4.33 грн
15000+4.03 грн
21000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUE003N02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RUE003N02TL за ціною від 6.02 грн до 36.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUE003N02TL RUE003N02TL Виробник : Rohm Semiconductor RUE003N02.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 51256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.94 грн
18+17.96 грн
100+11.37 грн
500+7.97 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02TL Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms26234-1.pdf MOSFETs Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.71 грн
16+21.99 грн
100+12.12 грн
500+9.03 грн
1000+7.90 грн
3000+6.47 грн
6000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.