Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUE003N02TL
RUE003N02TL

RUE003N02TL Rohm Semiconductor

RUE003N02.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.33 грн
6000+5.53 грн
9000+5.23 грн
15000+4.60 грн
21000+4.42 грн
30000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUE003N02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: EMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V.

Інші пропозиції RUE003N02TL за ціною від 6.79 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUE003N02TL RUE003N02TL Rohm Semiconductor RUE003N02.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 48574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.24 грн
100+10.88 грн
500+7.62 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02TL ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms26234-1.pdf MOSFETs Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02.pdf
RUE003N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 48574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.24 грн
100+10.88 грн
500+7.62 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL rohm semiconductor_rohms26234-1.pdf
RUE003N02TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUE003N02TL RUE003N02.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.