RUF015N02TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.56 грн |
| 6000+ | 10.20 грн |
| 9000+ | 9.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUF015N02TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RUF015N02TL за ціною від 8.63 грн до 49.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUF015N02TL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A |
на замовлення 10999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUF015N02TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V |
на замовлення 13754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RUF015N02TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RUF015N02TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 10999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.97 грн |
| 12+ | 28.26 грн |
| 100+ | 16.78 грн |
| 250+ | 16.71 грн |
| 500+ | 14.15 грн |
| 1000+ | 11.25 грн |
| 3000+ | 8.63 грн |
| RUF015N02TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 13754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.70 грн |
| 11+ | 29.47 грн |
| 100+ | 18.96 грн |
| 500+ | 13.55 грн |
| 1000+ | 12.18 грн |