Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUF020N02TL
RUF020N02TL

RUF020N02TL Rohm Semiconductor

ruf020n02tl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.30 грн
6000+9.28 грн
15000+8.64 грн
30000+7.69 грн
75000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUF020N02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RUF020N02TL за ціною від 8.00 грн до 31.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUF020N02TL RUF020N02TL Виробник : Rohm Semiconductor ruf020n02tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
13+24.00 грн
100+17.92 грн
500+13.21 грн
1000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL RUF020N02TL Виробник : ROHM Semiconductor ruf020n02tl-e.pdf MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
15+24.05 грн
100+15.56 грн
500+12.62 грн
1000+10.27 грн
3000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL ruf020n02tl-e.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR ruf020n02tl-e.pdf RUF020N02TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.