Продукція > ROHM > RUL035N02FRATR
RUL035N02FRATR

RUL035N02FRATR ROHM


rul035n02fra-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.043 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.43 грн
500+16.09 грн
1000+12.91 грн
5000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUL035N02FRATR ROHM

Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.043 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RUL035N02FRATR за ціною від 10.48 грн до 58.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Виробник : ROHM rul035n02fra-e.pdf Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.043 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.91 грн
25+35.18 грн
100+23.43 грн
500+16.09 грн
1000+12.91 грн
5000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 20V Vds 3.5A 0.066Rds(on) 5.7Qg
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.43 грн
10+35.89 грн
100+20.65 грн
500+18.01 грн
1000+15.68 грн
3000+12.42 грн
9000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.78 грн
10+35.10 грн
100+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.