RUM001L02T2CL

RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 507000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.69 грн
16000+2.57 грн
200000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RUM001L02T2CL за ціною від 2.39 грн до 31.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUM001L02T2CL RUM001L02T2CL Виробник : ROHM rum001l02t2cl-e.pdf Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.20 грн
1000+3.45 грн
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RUM001L02T2CL RUM001L02T2CL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 508974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.27 грн
26+12.21 грн
100+6.01 грн
500+5.02 грн
1000+4.55 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RUM001L02T2CL RUM001L02T2CL Виробник : ROHM datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.78 грн
57+14.93 грн
250+5.78 грн
1000+5.07 грн
4000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RUM001L02T2CL RUM001L02T2CL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 106320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.15 грн
17+21.31 грн
100+7.56 грн
1000+4.54 грн
8000+3.48 грн
24000+3.10 грн
48000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RUM001L02T2CL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RUM001L02T2CL SMD N channel transistors
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.37 грн
438+2.53 грн
1204+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RUM001L02T2CL datasheet?p=RUM001L02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.