RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 4.26 грн |
| 24000+ | 3.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.
Інші пропозиції RUM002N02T2L за ціною від 3.09 грн до 30.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 7944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 19058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 406837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 4112 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 284432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM002N02T2L | ROHM Semiconductor |
MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A |
на замовлення 164552 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 406837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | ROHM |
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 5121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | ROHM |
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 5121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUM002N02 T2L | ROHM | SOT23 |
на замовлення 5104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2197+ | 6.48 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2095+ | 6.80 грн |
| 2500+ | 6.60 грн |
| 5000+ | 6.42 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1946+ | 7.32 грн |
| 2014+ | 7.07 грн |
| 2500+ | 6.86 грн |
| 5000+ | 6.44 грн |
| 10000+ | 5.82 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1946+ | 7.32 грн |
| 2014+ | 7.07 грн |
| 2500+ | 6.86 грн |
| 5000+ | 6.44 грн |
| 10000+ | 5.82 грн |
| 25000+ | 5.46 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1110+ | 12.83 грн |
| 2500+ | 12.66 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 758+ | 18.79 грн |
| 985+ | 14.46 грн |
| 1222+ | 11.66 грн |
| 2381+ | 5.77 грн |
| 8000+ | 4.16 грн |
| 24000+ | 3.91 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.11 грн |
| 35+ | 11.97 грн |
| 50+ | 8.90 грн |
| 100+ | 7.76 грн |
| 500+ | 5.47 грн |
| 1000+ | 4.61 грн |
| 2500+ | 3.57 грн |
| 4000+ | 3.09 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 284432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.91 грн |
| 22+ | 13.82 грн |
| 50+ | 9.92 грн |
| 100+ | 8.12 грн |
| 500+ | 6.01 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
на замовлення 164552 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 25.68 грн |
| 27+ | 11.10 грн |
| 100+ | 8.34 грн |
| 500+ | 6.22 грн |
| 2500+ | 5.78 грн |
| 5000+ | 3.95 грн |
| 8000+ | 3.36 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.38 грн |
| 41+ | 18.79 грн |
| 53+ | 14.46 грн |
| 100+ | 11.24 грн |
| 500+ | 5.34 грн |
| 8000+ | 3.99 грн |
| 24000+ | 3.91 грн |
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RUM002N02 T2L |
Виробник: ROHM
SOT23
SOT23
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





