Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUM002N02T2L
RUM002N02T2L

RUM002N02T2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.27 грн
16000+3.74 грн
24000+3.55 грн
40000+3.14 грн
56000+3.02 грн
80000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUM002N02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RUM002N02T2L за ціною від 4.76 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 465121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+13.88 грн
100+8.68 грн
500+6.03 грн
1000+5.34 грн
2000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
на замовлення 280159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02 T2L ROHM SOT23
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 465121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+13.88 грн
100+8.68 грн
500+6.03 грн
1000+5.34 грн
2000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
на замовлення 280159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02 T2L
Виробник: ROHM
SOT23
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.