RUM002N02T2L Rohm Semiconductor


datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.36 грн
24000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUM002N02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.

Інші пропозиції RUM002N02T2L за ціною від 3.13 грн до 31.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 2197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.96 грн
2500+6.76 грн
5000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.50 грн
2014+7.24 грн
2500+7.03 грн
5000+6.60 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.50 грн
2014+7.24 грн
2500+7.03 грн
5000+6.60 грн
10000+5.96 грн
25000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+13.15 грн
2500+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+19.25 грн
985+14.81 грн
1222+11.94 грн
2381+5.91 грн
8000+4.26 грн
24000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.41 грн
35+12.12 грн
50+9.01 грн
100+7.86 грн
500+5.54 грн
1000+4.67 грн
2500+3.62 грн
4000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 284171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.22 грн
22+14.14 грн
50+10.17 грн
100+8.32 грн
500+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
на замовлення 160330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+26.01 грн
28+11.25 грн
100+8.45 грн
500+6.30 грн
2500+5.85 грн
5000+4.00 грн
8000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.12 грн
41+19.25 грн
53+14.81 грн
100+11.51 грн
500+5.47 грн
8000+4.09 грн
24000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM rum002n02t2l-e.pdf Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM rum002n02t2l-e.pdf Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02 T2L ROHM SOT23
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2197+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 2197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2095+6.96 грн
2500+6.76 грн
5000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1946+7.50 грн
2014+7.24 грн
2500+7.03 грн
5000+6.60 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1946+7.50 грн
2014+7.24 грн
2500+7.03 грн
5000+6.60 грн
10000+5.96 грн
25000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1110+13.15 грн
2500+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
758+19.25 грн
985+14.81 грн
1222+11.94 грн
2381+5.91 грн
8000+4.26 грн
24000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.41 грн
35+12.12 грн
50+9.01 грн
100+7.86 грн
500+5.54 грн
1000+4.67 грн
2500+3.62 грн
4000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 284171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.22 грн
22+14.14 грн
50+10.17 грн
100+8.32 грн
500+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
на замовлення 160330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.01 грн
28+11.25 грн
100+8.45 грн
500+6.30 грн
2500+5.85 грн
5000+4.00 грн
8000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 406837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.12 грн
41+19.25 грн
53+14.81 грн
100+11.51 грн
500+5.47 грн
8000+4.09 грн
24000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02 T2L
Виробник: ROHM
SOT23
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.