RUQ050N02FRATR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Технічний опис RUQ050N02FRATR ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 5, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RUQ050N02FRATR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RUQ050N02FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, OberflächenmontageVerlustleistung: 1.25 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RUQ050N02FRATR |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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