RUQ050N02HZGTR

RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RUQ050N02HZGTR за ціною від 18.96 грн до 80.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.96 грн
500+32.46 грн
1000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+55.60 грн
100+38.50 грн
500+30.19 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 20V 5A Small Signal MOSFET
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.74 грн
10+51.77 грн
100+32.67 грн
500+27.55 грн
1000+24.84 грн
3000+21.83 грн
6000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Виробник : ROHM ruq050n02hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.23 грн
15+58.86 грн
100+41.04 грн
500+32.54 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.