Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUQ050N02HZGTR
RUQ050N02HZGTR

RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції RUQ050N02HZGTR за ціною від 23.05 грн до 72.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.58 грн
100+32.76 грн
500+25.35 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V Drive 5A Nch MOSFET
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM ruq050n02hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUQ050N02HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.58 грн
100+32.76 грн
500+25.35 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUQ050N02HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Drive 5A Nch MOSFET
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR ruq050n02hzgtr-e.pdf
RUQ050N02HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTR datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUQ050N02HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.