Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUQ050N02TR

RUQ050N02TR Rohm Semiconductor

Name: RUQ050N02TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 2000251-3
Price: 19.76 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=RUQ050N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	51.02 грн
10+	42.76 грн
100+	29.6 грн
500+	23.22 грн
1000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RUQ050N02TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RUQ050N02TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
RUQ050N02TR			на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
RUQ050N02TR	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V	товар відсутній
RUQ050N02TR	Виробник : ROHM Semiconductor	MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 5A	товар відсутній