RUR020N02TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.32 грн |
| 6000+ | 10.98 грн |
| 9000+ | 10.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUR020N02TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RUR020N02TL за ціною від 10.35 грн до 53.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUR020N02TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUR020N02TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A |
на замовлення 5214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RUR020N02TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| RUR020N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 6A Case: TSMT3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| RUR020N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 6A Case: TSMT3 |
товару немає в наявності |