Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUR040N02HZGTL
RUR040N02HZGTL

RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RUR040N02HZGTL за ціною від 19.43 грн до 53.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+27.53 грн
516+27.41 грн
595+23.81 грн
1000+21.91 грн
3000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.26 грн
444+31.93 грн
500+30.78 грн
1000+28.70 грн
2500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.26 грн
444+31.93 грн
500+30.78 грн
1000+28.70 грн
2500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.47 грн
10+44.92 грн
100+31.08 грн
500+24.37 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM rur040n02hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM rur040n02hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
514+27.53 грн
516+27.41 грн
595+23.81 грн
1000+21.91 грн
3000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
426+33.26 грн
444+31.93 грн
500+30.78 грн
1000+28.70 грн
2500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
426+33.26 грн
444+31.93 грн
500+30.78 грн
1000+28.70 грн
2500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.47 грн
10+44.92 грн
100+31.08 грн
500+24.37 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.