Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUR040N02HZGTL
RUR040N02HZGTL

RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції RUR040N02HZGTL за ціною від 19.47 грн до 53.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+27.59 грн
516+27.47 грн
595+23.86 грн
1000+21.96 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+45.02 грн
100+31.15 грн
500+24.42 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
514+27.59 грн
516+27.47 грн
595+23.86 грн
1000+21.96 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+45.02 грн
100+31.15 грн
500+24.42 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.