Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUR040N02TL
RUR040N02TL

RUR040N02TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.90 грн
9000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUR040N02TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції RUR040N02TL за ціною від 14.43 грн до 80.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor rur040n02tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+22.00 грн
647+21.88 грн
722+19.59 грн
1000+18.20 грн
2000+16.74 грн
3000+15.56 грн
6000+15.05 грн
12000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor rur040n02tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.72 грн
465+30.45 грн
500+29.34 грн
1000+27.38 грн
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
12+36.73 грн
100+26.17 грн
500+21.13 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 24479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.31 грн
50+35.70 грн
100+29.68 грн
500+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
на замовлення 21627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL rur040n02tl-e.pdf
RUR040N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
643+22.00 грн
647+21.88 грн
722+19.59 грн
1000+18.20 грн
2000+16.74 грн
3000+15.56 грн
6000+15.05 грн
12000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL rur040n02tl-e.pdf
RUR040N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
446+31.72 грн
465+30.45 грн
500+29.34 грн
1000+27.38 грн
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.54 грн
12+36.73 грн
100+26.17 грн
500+21.13 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 24479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.73 грн
10+48.31 грн
50+35.70 грн
100+29.68 грн
500+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
на замовлення 21627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.