на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 49.69 грн |
| 256+ | 47.70 грн |
| 500+ | 45.98 грн |
| 1000+ | 42.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUS100N02TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RUS100N02TB за ціною від 94.18 грн до 219.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUS100N02TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RUS100N02TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
RUS100N02TB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |