
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 15.12 грн |
31+ | 10.04 грн |
100+ | 6.72 грн |
500+ | 4.82 грн |
1000+ | 4.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUU002N05T106 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RUU002N05T106 за ціною від 2.80 грн до 24.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RUU002N05T106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RUU002N05T106 |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
RUU002N05T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |