RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 3.45 грн |
| 16000+ | 3.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RV1C001ZPT2L за ціною від 3.03 грн до 25.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV1C001ZPT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C001ZPT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 14934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV1C001ZPT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
на замовлення 20040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV1C001ZPT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
на замовлення 14106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV1C001ZPT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RV1C001ZPT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RV1C001ZPT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RV1C001ZPT2L SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |