Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV1C001ZPT2L
RV1C001ZPT2L

RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.26 грн
16000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RV1C001ZPT2L за ціною від 3.64 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor rv1c001zp-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+11.54 грн
1267+11.16 грн
2500+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 1226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor rv1c001zp-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+16.31 грн
1163+12.16 грн
2000+9.43 грн
8000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.49 грн
100+7.17 грн
500+4.97 грн
1000+3.82 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 14106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L ROHM rv1c001zp-e.pdf Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L ROHM rv1c001zp-e.pdf Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L rv1c001zp-e.pdf
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1226+11.54 грн
1267+11.16 грн
2500+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 1226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L rv1c001zp-e.pdf
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
868+16.31 грн
1163+12.16 грн
2000+9.43 грн
8000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
26+11.49 грн
100+7.17 грн
500+4.97 грн
1000+3.82 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C001ZPT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 14106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L rv1c001zp-e.pdf
RV1C001ZPT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L rv1c001zp-e.pdf
RV1C001ZPT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.