Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV1C002UNT2CL
RV1C002UNT2CL

RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.57 грн
16000+2.44 грн
24000+2.41 грн
40000+2.18 грн
56000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: DFN0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції RV1C002UNT2CL за ціною від 3.38 грн до 22.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv1c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1806+7.85 грн
1866+7.60 грн
2500+7.37 грн
5000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 726306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
51+5.91 грн
100+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch Small Signal MOSFET
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
25+13.18 грн
100+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv1c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL ROHM rv1c002un-e.pdf Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL ROHM rv1c002un-e.pdf Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: DFN0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv1c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL rv1c002un-e.pdf
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1806+7.85 грн
1866+7.60 грн
2500+7.37 грн
5000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 726306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
51+5.91 грн
100+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C002UNT2CL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch Small Signal MOSFET
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.15 грн
25+13.18 грн
100+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL rv1c002un-e.pdf
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL rv1c002un-e.pdf
RV1C002UNT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL rv1c002un-e.pdf
RV1C002UNT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV1C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: DFN0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL rv1c002un-e.pdf
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.