RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1808+ | 6.75 грн |
| 1921+ | 6.35 грн |
| 1964+ | 6.21 грн |
| 2017+ | 5.84 грн |
| 8000+ | 5.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV2C002UNT2L за ціною від 4.37 грн до 35.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2C002UNT2L | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C002UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C002UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
.jpg "RV2C002UNT2L") |
RV2C002UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 9846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C002UNT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV2C002UNT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 36546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RV2C002UNT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RV2C002UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RV2C002UNT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |