Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L

RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

rv2c002un-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1808+6.75 грн
1921+6.35 грн
1964+6.21 грн
2017+5.84 грн
8000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 1808
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RV2C002UNT2L за ціною від 4.32 грн до 35.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.60 грн
500+7.75 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 9846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.12 грн
25+12.87 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.61 грн
2000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+20.15 грн
629+19.42 грн
1000+18.78 грн
2500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+20.15 грн
629+19.42 грн
1000+18.78 грн
2500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : ROHM datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.21 грн
67+12.61 грн
112+7.48 грн
500+6.87 грн
1000+5.66 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 36546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.51 грн
13+26.36 грн
100+12.95 грн
1000+6.55 грн
2500+5.66 грн
8000+4.54 грн
24000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RV2C002UNT2L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.