Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L

RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

rv2c002un-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1808+7.83 грн
1921+7.36 грн
1964+7.20 грн
2017+6.76 грн
8000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 1808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції RV2C002UNT2L за ціною від 5.64 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+16.19 грн
100+10.19 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
2000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+16.19 грн
100+10.19 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
2000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.