RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 5.72 грн |
| 16000+ | 5.04 грн |
| 24000+ | 4.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV2C010UNT2L за ціною від 5.45 грн до 32.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 35938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RV2C010UNT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RV2C010UNT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 400mW; DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.4W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |