Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 39380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+6.27 грн
24000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm.

Інші пропозиції RV2C010UNT2L за ціною від 5.26 грн до 33.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+15.55 грн
974+14.98 грн
1007+14.50 грн
2500+13.57 грн
5000+12.22 грн
10000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+15.55 грн
974+14.98 грн
1007+14.50 грн
2500+13.57 грн
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+31.20 грн
17+19.00 грн
100+10.45 грн
500+7.85 грн
1000+6.22 грн
2500+6.15 грн
5000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 39545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.60 грн
16+19.64 грн
50+14.19 грн
100+11.64 грн
500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L ROHM rv2c010un-e.pdf Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L ROHM rv2c010un-e.pdf Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L rv2c010un-e.pdf
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
939+15.55 грн
974+14.98 грн
1007+14.50 грн
2500+13.57 грн
5000+12.22 грн
10000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L rv2c010un-e.pdf
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
939+15.55 грн
974+14.98 грн
1007+14.50 грн
2500+13.57 грн
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C010UNT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.20 грн
17+19.00 грн
100+10.45 грн
500+7.85 грн
1000+6.22 грн
2500+6.15 грн
5000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 39545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.60 грн
16+19.64 грн
50+14.19 грн
100+11.64 грн
500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L rv2c010un-e.pdf
RV2C010UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L rv2c010un-e.pdf
RV2C010UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L rv2c010un-e.pdf
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.