Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

rv2c010un-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
939+13.51 грн
974+13.02 грн
1007+12.60 грн
2500+11.79 грн
5000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RV2C010UNT2L за ціною від 5.68 грн до 33.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
939+13.51 грн
974+13.02 грн
1007+12.60 грн
2500+11.79 грн
5000+10.62 грн
10000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : ROHM rv2c010un-e.pdf Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.17 грн
19+18.34 грн
100+11.57 грн
500+8.10 грн
1000+7.21 грн
2000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+33.71 грн
18+20.53 грн
100+11.29 грн
500+8.48 грн
1000+6.72 грн
2500+6.64 грн
5000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : ROHM rv2c010un-e.pdf Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.