Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV2C014BCT2CL
RV2C014BCT2CL

RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV2C014BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.98 грн
14+22.63 грн
100+14.38 грн
500+10.15 грн
1000+9.07 грн
2000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C014BCT2CL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.3 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 600mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції RV2C014BCT2CL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV2C014BCT2CL RV2C014BCT2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C014BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C014BCT2CL RV2C014BCT2CL ROHM rv2c014bct2cl-e.pdf Description: ROHM - RV2C014BCT2CL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.3 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C014BCT2CL RV2C014BCT2CL ROHM rv2c014bct2cl-e.pdf Description: ROHM - RV2C014BCT2CL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.3 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C014BCT2CL datasheet?p=RV2C014BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C014BCT2CL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C014BCT2CL rv2c014bct2cl-e.pdf
RV2C014BCT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C014BCT2CL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.3 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C014BCT2CL rv2c014bct2cl-e.pdf
RV2C014BCT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C014BCT2CL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.3 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.