RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV2C014BCT2CL за ціною від 5.57 грн до 37.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2C014BCT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID |
на замовлення 12629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV2C014BCT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 20929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RV2C014BCT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -2.8A; 600mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -2.8A Power dissipation: 0.6W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| RV2C014BCT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -2.8A; 600mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -2.8A Power dissipation: 0.6W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |