RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 14+ | 22.16 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| 1000+ | 8.88 грн |
| 2000+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV2C014BCT2CL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2C014BCT2CL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID |
на замовлення 12629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RV2C014BCT2CL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)