RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 10.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Інші пропозиції RV2E014AJT2CL за ціною від 8.15 грн до 47.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2E014AJT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: No rohsCompliant: YES Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RV2E014AJT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RV2E014AJT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 30V 1.4A, DFN1006-3, Small Signal MOSFET |
на замовлення 15571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RV2E014AJT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RV2E014AJT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |