RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.42 грн |
| 27+ | 11.59 грн |
| 30+ | 10.28 грн |
| 100+ | 8.26 грн |
| 250+ | 7.60 грн |
| 500+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
19 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 600mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.
Інші пропозиції RV2E014AJT2CL за ціною від 6.68 грн до 19.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV2E014AJT2CL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive) |
на замовлення 7760 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RV2E014AJT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 600mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RV2E014AJT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 600mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
RV2E014AJT2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 308 шт В кошику од. на суму грн. |
| RV2E014AJT2CL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.62 грн |
| 26+ | 11.91 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 7.73 грн |
| 1000+ | 7.43 грн |
| 2500+ | 7.06 грн |
| 5000+ | 6.68 грн |
| RV2E014AJT2CL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV2E014AJT2CL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.29 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV2E014AJT2CL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin VML T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)