RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 9.21 грн |
| 24000+ | 7.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Інші пропозиції RV3C002UNT2CL за ціною від 6.80 грн до 46.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RV3C002UNT2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 18915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RV3C002UNT2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 13195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RV3C002UNT2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch |
на замовлення 26415 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RV3C002UNT2CL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0604 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 142049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RV3C002UNT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 100mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0603 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RV3C002UNT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 100mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0603 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1177+ | 12.24 грн |
| 1259+ | 11.44 грн |
| 1295+ | 11.12 грн |
| 8000+ | 10.17 грн |
| 16000+ | 9.11 грн |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 896+ | 16.07 грн |
| 902+ | 15.96 грн |
| 1263+ | 11.40 грн |
| 8000+ | 10.98 грн |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 878+ | 16.40 грн |
| 911+ | 15.81 грн |
| 1000+ | 15.29 грн |
| 2500+ | 14.31 грн |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
на замовлення 26415 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.38 грн |
| 17+ | 18.79 грн |
| 100+ | 8.06 грн |
| 500+ | 7.99 грн |
| 5000+ | 6.80 грн |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 142049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.01 грн |
| 12+ | 27.26 грн |
| 50+ | 19.84 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV3C002UNT2CL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




