Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV3C002UNT2CL
RV3C002UNT2CL

RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0604
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+7.13 грн
40000+6.68 грн
56000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції RV3C002UNT2CL за ціною від 8.24 грн до 41.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+12.02 грн
1259+11.24 грн
1295+10.93 грн
8000+9.99 грн
16000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
896+15.79 грн
902+15.68 грн
1263+11.20 грн
8000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+16.11 грн
911+15.53 грн
1000+15.02 грн
2500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0604
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
на замовлення 73247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.48 грн
100+9.30 грн
500+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
на замовлення 26415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
RV3C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1177+12.02 грн
1259+11.24 грн
1295+10.93 грн
8000+9.99 грн
16000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
RV3C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
896+15.79 грн
902+15.68 грн
1263+11.20 грн
8000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
RV3C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
878+16.11 грн
911+15.53 грн
1000+15.02 грн
2500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV3C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0604
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
на замовлення 73247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
13+24.48 грн
100+9.30 грн
500+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV3C002UNT2CL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
на замовлення 26415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
RV3C002UNT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
RV3C002UNT2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.