RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 7.54 грн |
| 16000+ | 7.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV3C002UNT2CL за ціною від 7.27 грн до 35.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 18915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 13195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0604 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 145355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN0603 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 1.4 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN0603 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch |
на замовлення 49843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RV3C002UNT2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RV3C002UNT2CL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |