RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+9.21 грн
24000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції RV3C002UNT2CL за ціною від 6.80 грн до 46.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+12.24 грн
1259+11.44 грн
1295+11.12 грн
8000+10.17 грн
16000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
896+16.07 грн
902+15.96 грн
1263+11.40 грн
8000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+16.40 грн
911+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
на замовлення 26415 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+33.38 грн
17+18.79 грн
100+8.06 грн
500+7.99 грн
5000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 142049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.01 грн
12+27.26 грн
50+19.84 грн
100+16.36 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 18915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1177+12.24 грн
1259+11.44 грн
1295+11.12 грн
8000+10.17 грн
16000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
896+16.07 грн
902+15.96 грн
1263+11.40 грн
8000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 896 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
878+16.40 грн
911+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
на замовлення 26415 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.38 грн
17+18.79 грн
100+8.06 грн
500+7.99 грн
5000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 142049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.01 грн
12+27.26 грн
50+19.84 грн
100+16.36 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV3C002UNT2CL rv3c002unt2cl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.