RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0604
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 12.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VML0604, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV3CA01ZPT2CL за ціною від 9.7 грн до 38.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV3CA01ZPT2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RV3CA01ZP is the 0604 size ultra-small package MOSFET for for portable devices. |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RV3CA01ZPT2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML0604 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V |
на замовлення 15035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|