Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV4C020ZPHZGTCR1
RV4C020ZPHZGTCR1

RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.43 грн
10+47.85 грн
100+36.69 грн
500+27.22 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.26 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Інші пропозиції RV4C020ZPHZGTCR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM 3171078.pdf Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.26 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM 3171078.pdf Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.26 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV4C020ZPHZGTCR1 datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV4C020ZPHZGTCR1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV4C020ZPHZGTCR1 3171078.pdf
RV4C020ZPHZGTCR1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.26 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV4C020ZPHZGTCR1 3171078.pdf
RV4C020ZPHZGTCR1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.26 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.