RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.79 грн |
| 10+ | 47.31 грн |
| 100+ | 36.27 грн |
| 500+ | 26.91 грн |
| 1000+ | 21.53 грн |
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Технічний опис RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV4C020ZPHZGTCR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | ROHM |
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RV4C020ZPHZGTCR1 | ROHM |
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RV4C020ZPHZGTCR1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RV4C020ZPHZGTCR1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV4C020ZPHZGTCR1 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


