| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.69 грн |
| 10+ | 57.41 грн |
| 100+ | 38.29 грн |
| 500+ | 30.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV4E031RPHZGTCR1 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN1616-6W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RV4E031RPHZGTCR1 за ціною від 24.16 грн до 91.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV4E031RPHZGTCR1 | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6WPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-6W Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RV4E031RPHZGTCR1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.85 грн |
| 10+ | 55.43 грн |
| 100+ | 36.50 грн |
| 500+ | 26.62 грн |
| 1000+ | 24.16 грн |